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IPP65R660CFD是MOSFET N-CH 650V 6A TO220，包括CoolMOS CFD2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP65R760CFDXK IPP65R460CFDXKSA1 SP000745026，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术是Si，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为63W，下降时间为10ns，上升时间为8ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，漏极-源极电阻Rds为660mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为22nC。
IPP65R600E6是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于700 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS E6，该器件的漏极电阻为540 mOhms Rds，该器件具有63 W的Pd功耗，零件别名为IPP65R600E6XK IPP65R700E6XKSA1 SP000850500，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7.3 A。
IPP65R600E，带有INF制造的电路图。IPP65R700E采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220。
