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IRF8707TRPBF-1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥8.99568
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    - +
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.35V@25A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 760 pF @ 15 V
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11A(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 11.9欧姆@11A,10V

IRF8707TRPBF-1 产品详情

N沟道功率MOSFET 30V,英飞凌

Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对5V栅极驱动电压(称为逻辑电平)进行了优化
  • 行业标准表面安装组件
  • 能够进行波峰焊接
IRF8707TRPBF-1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF8707TRPBF-1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF8707TRPBF-1价格参考¥8.995682,你可以下载 IRF8707TRPBF-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF8707TRPBF-1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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