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IPP80P03P4L-07是MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3，包括OptiMOS-P2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如IPP80P02P4L07AKSA1 IPP80P4L07XK SP000396392中使用的数据表注释所示，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有1个晶体管型P通道，Pd功耗为88W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅源电压为+5/-16 V，并且Id连续漏极电流为-80A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2V，Rds漏极漏极-漏极电阻为6.9mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为63nC，沟道模式为增强型。
IPP80P04P4-05是MOSFET P-Ch-40V-80A TO220-3 OptiMOS-P2，包括-40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.211644盎司单位重量运行，数据表中显示了用于1 P通道的晶体管类型，该通道提供晶体管极性功能，如P通道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-P2系列。此外，Rds漏极源极电阻为4.9毫欧，该器件采用IPP80P04P405AKSA1 IPP80PO4P405XK SP000652622零件别名，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为-80 a。
IPP80P04P4-07是MOSFET P-Ch-40V-80A TO220-3 OptiMOS-P2，包括-80 A Id连续漏电流，它们设计用于1通道数的通道，数据表说明中显示了用于to-220-3的封装情况，该封装提供了管等封装功能，零件别名设计用于IPP80Po4P407AKSA1 IPP80PO4P407XK SP000842044，该器件还可以用作OptiMOS-P2系列。此外，该技术为硅，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1个P沟道、单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V。
IPP80P03P4L04AKSA1是MOSFET P-Ch-30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2，包括XPP80P03系列，它们设计用于管式封装，封装情况如数据表注释所示，用于to-220-3，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于P沟道，以及IPP80P4L-04 IPP80P3P4L04XK SP000396390零件别名，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，信道数为1信道。
