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IPP80P04P4L-04是MOSFET P-Ch-40V-80A TO220-3 OptiMOS-P2,包括OptiMOS-P2系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPP80PO4P4L04AKSA1 IPP80Po4P4L04XK SP000840200,提供单位重量功能,如0.211644盎司,商品名设计用于OptiMOS,以及to-220-3包装箱,该器件也可以用作Si技术。此外,通道数为1通道,该器件为1 P通道晶体管类型,该器件具有-80 a的Id连续漏极电流,Vds漏极-源极击穿电压为-40 V,Rds漏极源极电阻为4.4 mOhm,晶体管极性为P通道。
IPP80P04P4L-06是MOSFET P-Ch-40V-80A TO220-3 OptiMOS-P2,包括-40 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作。数据表中显示了用于1个P通道的晶体管类型,该通道提供晶体管极性功能,如P通道,商品名设计用于OptiMOS,以及Si技术,该设备也可以用作OptiMOS-P2系列。此外,Rds漏极源极电阻为6.4 mOhms,该器件采用IPP80P04P4L06AKSA1 IPP80p4P4L06XK SP000842052零件别名,该器件具有一个封装管,封装盒为TO-220-3,通道数为1通道,Id连续漏极电流为-80 a。
IPP80P04P4-07是MOSFET P-Ch-40V-80A TO220-3 OptiMOS-P2,包括-80 A Id连续漏电流,它们设计用于1通道数的通道,数据表说明中显示了用于to-220-3的封装情况,该封装提供了管等封装功能,零件别名设计用于IPP80Po4P407AKSA1 IPP80PO4P407XK SP000842044,该器件还可以用作OptiMOS-P2系列。此外,该技术为硅,该器件以OptiMOS商品名提供,该器件具有晶体管极性的P沟道,晶体管类型为1个P沟道、单位重量为0.211644盎司,Vds漏极-源极击穿电压为-40 V。
IPP80P04P4L-04(4P04L04),带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP80P04P4L-04(4P04L04)采用TO-263封装,是IC芯片的一部分。