9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP65R099C6XKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP65R099C6XKSA1参考价格2.96000美元。Infineon Technologies IPP65R099C6XKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3。您可以下载IPP65R099C6XKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP65R099C6是MOSFET N-Ch 700V 38A TO220-3，包括XPP65R099系列，它们设计用于管式封装。IPP65R999C6XK IPP65R799C6XKSA1 SP000895218中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供了安装类型的功能，如通孔，封装盒设计用于PG-TO220，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有278 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为38 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为99mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为77ns，典型接通延迟时间为10.6ns，Qg栅极电荷为127nC，沟道模式为增强。
IPP65R095C7是MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS，包括3.5V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为14 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS C7，该器件采用Si技术提供，该器件具有XPP65R095系列，上升时间为12 ns，漏极-源极电阻Rds为84 mOhms，Qg栅极电荷为45 nC，Pd功耗为128 W，零件别名为IPP65R095C7XKSA1 SP001080122，封装为Tube，封装外壳为TO-220，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为24 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP65R095C7XKSA1带有电路图，包括TO-220-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPP65R195C7 SP001080122的零件别名，该产品提供Si等技术特性，商品名设计用于CoolMOS。
