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IRLML2803TRPBF-1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 540mW (Ta) 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥60.18850
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥60.19
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5 nC @ 10 V
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.2A(Ta)
  • 最大功耗 540mW (Ta)
  • 供应商设备包装 Micro3/SOT-23
  • 导通电阻 Rds(ON) 250毫欧姆@910毫安,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 85 pF @ 25 V
  • 色彩/颜色 灰色

IRLML2803TRPBF-1 产品详情

N沟道功率MOSFET 30V,英飞凌

Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 行业领先的质量
  • 动态dv/dt额定值
  • 快速切换
  • 完全雪崩等级
  • 175°C工作温度

应用

  • 直流开关
  • 负载开关
IRLML2803TRPBF-1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLML2803TRPBF-1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLML2803TRPBF-1价格参考¥60.188499,你可以下载 IRLML2803TRPBF-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLML2803TRPBF-1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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