9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6810STR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6810STR1PBF参考价格为1.132美元。Infineon Technologies IRF6810STR1PBF封装/规格：MOSFET N CH 25V 16A S1。您可以下载IRF6810STR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF6802SDTRPBF是MOSFET 2N-CH 25V 16A SA，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，产品名称显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装外壳功能，如DirectFET？Isometric SA，Technology设计用于Si，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备采用DIRECTFET？SA供应商设备包，该设备具有双重配置，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为1.7W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis Vds为1350pF@13V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为16A，最大Id Vgs为4.2mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为2.1V@35μA，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@4.5V，Pd功耗为1.7W，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，漏极-漏极电阻为4.5m欧姆，晶体管极性为N沟道。
IRF6802SDTR1PBF是MOSFET 2N-CH 25V 16A SA，包括2.1V@35μ？SA供应商设备包系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，该设备提供Rds on Max Id Vgs功能，如4.2mOhm@16A，10V，Power Max设计为1.7W，以及Digi-ReelR备用封装，该设备也可以用作DirectFET？等距SA封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1350pF@13V输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为13nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为25V，25°C的电流连续排放Id为16A。
IRF6798MTR1PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX™ Isometric MX封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX、N沟道25V 37B（Ta）、197A（Tc）2.8W（Ta）和78W（Tc）表面安装DIRECTFET？MX之间。
IRF6798MTRPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX™ Isometric MX封装是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX、Trans MOSFET N-CH-Si 25V 37B 7引脚直接FET MX T/R。
