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IPP45N06S4L-08是MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP45NO6S4L08AKSA1 IPP45N6S4L08AKSA2 IPP45NO 6S4L08XK SP001028650，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-220-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有45 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为7.9 mOhm，晶体管极性为N信道。
IPP45N06S409AKSA1是MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3 OptiMOS-T2，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供XPP45N06等系列功能，零件别名设计用于IPP45NO6S4-09 IPP45N6S409XK SP000374339以及管封装，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，信道数为1信道。
IPP45N06S409AKSA2是MOSFET MOSFET，包括1个通道数的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPP45NO6S4-09 IPP45NO 6S409XK SP001028648，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
