久芯网

IRF8308MTR1PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta)、150A(Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥84.16250
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥84.16
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.35V@100A.
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 DIRECTFETMX
  • 包装/外壳 DirectFET等距MX
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 2.8W(Ta)、89W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 27A(Ta)、150A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.5毫欧姆@27A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4404 pF @ 15 V
  • 样式 -

IRF8308MTR1PBF 产品详情

IRF8308MTR1PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF8308MTR1PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF8308MTR1PBF价格参考¥84.162498,你可以下载 IRF8308MTR1PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF8308MTR1PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部