9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH8321TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH8321TRPBF参考价格为0.29000美元。Infineon Technologies IRFH8321TRPBF封装/规格：MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6。您可以下载IRFH8321TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRFH8321TRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFH8318TRPBF是MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装情况如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单配置，该器件也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns，上升时间为33ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅-源极阈值电压为1.8V，并且Rds导通漏极-源极电阻为4.6mOhm，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为18ns，并且典型接通延迟时间为15ns，并且Qg栅极电荷为41nC，并且正向跨导Min为81S。
IRFH8318TR2PBF是MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于15 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如18 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为33 ns，器件提供3.1 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有41 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为3.6 W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为27A，正向跨导最小值为81S，下降时间为12ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFH8316TRPBF是“由IR制造的MOSFET MOSFET。IRFH8316 TRPBF可在PQFN-8封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET、N沟道30V 27A（Ta）、50A（Tc）3.6W（Ta），59W（Tc）表面安装8-PQFN（5x6）、Trans MOSFET N-CH 30V 27B 8-Pin QFN EP T/R、MOSFET、30V、25A、4 4.7nC Qg、PQFN5x6。
