9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRLH5036TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLH5036TRPBF参考价格为0.282美元。Infineon Technologies IRLH5036TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PFN。您可以下载IRLH5036TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLH5030TRPBF是MOSFET N-CH 100V 13A 8PFN，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单四漏极三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为41ns，上升时间为72ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为88A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅-源极阈值电压为2.5V，并且Rds导通漏极-源极电阻为9.9m欧姆，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为41ns，并且典型接通延迟时间为21ns，并且Qg栅极电荷为44nC，并且正向跨导Min为160S。
IRLH5034TRPBF是MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作82nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为250W，该器件采用卷筒包装，该器件具有PQFN-8封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为100A。
IRLH5036TR2PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN。IRLH5036 TR2PBF采用8-PowerVQFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH60V 100A5X6 PQFN、N沟道60V 20A（Ta）、100A（Tc）3.6W（Ta），160W（Tc）表面安装PQFN（5X6）、Trans-MOSFET N-CH 60 V 20A 8引脚PQFN EP T/R。
