9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP6CN10NGXKSA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP6CN10NGXKSA1参考价格$7.002。Infineon Technologies IPP6CN10NGXKSA1封装/规格:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3。您可以下载IPP6CN10NGXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP6CN10L G是MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3,包括IPP6CN10系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPP10CN10LGXKSA1,提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及to-220-3封装盒,该设备也可作为Si技术使用。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为214 W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为7 ns,上升时间为27 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为100A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds导通漏极-电源电阻为6.2mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为26ns,典型接通延迟时间为17ns,沟道模式为增强。
IPP6CN10LG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3。IPP6CN10LG采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3。
IPP6CN10N G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 100A TO-220。IPP6CN10N G采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单体,并支持MOSFET N-CH 100V 100A TO-220、N沟道100V 100V(Tc)214W(Tc)通孔PG-TO-220-3。