- 适用于开关（电机驱动等）和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
•低导通状态电阻：RDS（导通）1=130 mMAX。（VGS=–10 V，ID=–6 A）RDS（开启）2=190 mMAX。（VGS=–4.0 V，ID=–6 A）•低Cis：Cis=720 pF典型值。•内置栅极保护二极管•TO-251/TO-252封装
2SJ598(0)-Z-E1-AZ
- 描述:TRANSISTOR
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥6.14198
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.14
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规格参数
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Tc）
- 技术 -
- 场效应管类型 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 部件状态 过时的
2SJ598(0)-Z-E1-AZ 产品详情
2SJ598(0)-Z-E1-AZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| 2SJ598-ZK-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），23W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度 | ¥7.17047 |
| 2SJ358C-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE | ¥5.60811 |
| 2SJ358-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET | ¥5.60811 |
| 2SJ529L06-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF | ¥6.8147 |
| 2SJ635-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE | ¥2.63642 |
| 2SJ607-ZJ-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ607-ZJ-AZ - SWITCHING P-CHANN | ¥31.41108 |
| 2SJ604-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-Z-AZ - SWITCHING P-CHANNE | ¥13.10661 |
| 2SJ604-ZJ-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-ZJ-E1-AZ - SWITCHING P-CH | ¥15.66777 |
 | 2SJ681(Q) | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 20W（Ta） 供应商设备包装: PW-MOLD2 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.8349 |
| 2SJ532-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET, | ¥14.38744 |
2SJ598(0)-Z-E1-AZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SJ598(0)-Z-E1-AZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SJ598(0)-Z-E1-AZ价格参考￥6.141979，你可以下载 2SJ598(0)-Z-E1-AZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SJ598(0)-Z-E1-AZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
