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APTGLG75H65T1G是PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1，包括SP1封装盒，其设计为通孔安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP1，提供标准、配置等输入功能，设计为全桥工作，以及250W最大功率，该器件还可以用作150A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器发射器击穿最大值为650V，该器件提供100μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，75A，输入电容Cies Vce为4.62nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100A102G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、100A Vce运行，数据表说明中显示了SP2中使用的供应商设备包，提供480W等最大功率功能，包壳设计用于SP2，以及无NTC热敏电阻，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为140A，集电器截止值最大值为50μa，配置为半桥。
APTGLG80HR120CT3G，带电路图，包括150μA集流器最大截止电流，设计用于150A集流管Ic最大值，IGBT类型如数据表注释所示，用于沟槽场阻，提供标准输入功能，输入电容Cies Vce设计用于4.6nF@25V，以及通孔安装类型，该器件也可以用作Yes NTC热敏电阻。此外，封装外壳为SP3，该器件以500W功率最大提供，该器件具有供应商器件封装的SP3，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，80A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTGLG80HR120T3G，带有MICROSEMI制造的EDA/CAD模型。APTGLG80HR120T3G采用标准封装，是IC芯片的一部分。
