9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT150SK60T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT150SK60T1G参考价格为52.17000美元。Microchip Technology APTGT150SK60T1G封装/规格：IGBT模块600V 225A 480W SP1。您可以下载APTGT150SK60T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT150H120G是IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6，包括SP6封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如SP6中使用的数据表注释所示，提供标准等输入功能，配置设计为在全桥逆变器中工作，以及690W最大功率，该器件还可以用作220A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供350μA集流管截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，150A，输入电容Cies Vce为10.7nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT150H170G带有用户指南，包括1700V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于SP6的供应商设备包，提供功率最大值功能，如890W，包壳设计为在SP6中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为13.5nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为250A，集电器截止值最大值为350μa，配置为全桥逆变器。
APTGT150H60TG带有电路图，包括全桥逆变器配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，数据表注释中显示了225A中使用的集流器Ic最大值，该225A提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及9.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件最大功率为480W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGT150DU60TG，带EDA/CAD型号，包括Yes NTC热敏电阻，设计用于沟槽式场阻IGBT类型，输入显示在数据表注释中，用于标准，提供SP4等封装外壳功能，供应商设备包设计用于SP4，以及双、共源配置，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，该器件提供600V集电极-发射极击穿最大值，该器件最大功率为480W，集电极截止最大值为250μa，集电极Ic最大值为225A，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A。
