9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP80N70F4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP80N70F4参考价格$5.182。STMicroelectronics STP80N70F4封装/规格：MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB。您可以下载STP80N70F4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP80N10F7是MOSFET N-CH 100V 80A TO-220，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有110 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为45nC。
STP80N6F6是MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.011640盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为N沟道STripFET，器件提供5.8 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有122 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为150 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为110 A，配置为单一。
STP80N20M5是由ST制造的MOSFET N-CH 200V 61A TO-220。STP80N20M5以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 61A-TO-220、N沟道200V-61A（Tc）190W（Tc）通孔TO-220AB、Trans-MOSFET N-CH-Si 200V 61A-3pin（3+Tab）TO-220管。
