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FP50R07U1E4,带引脚细节,包括IGBT硅模块产品,它们设计为与SP000939134零件别名一起工作,安装样式如数据表注释所示,用于螺丝,提供封装盒功能,如SmartPIM1,配置设计用于PIM三相输入整流器,以及230 W Pd功耗,它的最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为650 V,该器件具有1.55 V的集电极/发射极饱和电压,25 C时的连续集电极电流为75 a,栅极-发射极漏电流为100 nA,最大栅极-发射极电压为20 V。
FP50R07N2E4是IGBT模块IGBT模块50A 650V,包括散装封装。
FP50R07N2E4_B11,带电路图,包括散装包装。
FP50R06W2E3_B11,带有Infineon制造的EDA/CAD模型。是IGBT模块的一部分,支持IGBT模块IGBT 600V 50A。