ADG436BN是一种单片CMOS器件,包括两个独立选择的SPDT开关。它是在LC2MOS工艺上设计的,该工艺提供低功耗,同时提供高开关速度和低导通电阻。
当接通时,每个开关在两个方向上的传导都一样好,并且具有延伸到电源的输入信号范围。在OFF状态下,电源的信号电平被阻断。在多路复用器应用中,所有开关都表现出先断后合的切换动作。在切换数字输入时,该设计的内在特点是低电荷注入,以实现最小瞬态。
特色
- 44 V电源最大额定值
- VSS至VDD模拟信号范围
- 低导通电阻(典型值为12Ω)
- 低ΔRon(最大3Ω)
- 低Ron匹配(最大2.5Ω)
- 低功耗
- 低泄漏电流(最大5 nA)
- 快速切换时间ton<175 nstoff<145 ns
- 低电荷注入(10 pC)
- 先断后合开关动作
- 16引线DIP和SOIC封装
(图片:引出线)