TI制造的TLC352IDRG4零件可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的TLC352IDRG4组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如TLC352IDRG4库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
TLC352IDR是IC DIFF VOLT COMP DUAL 8-SOIC，包括LinCMOS？系列，它们设计用于模拟比较器产品，类型如数据表注释所示，用于差分，提供包装功能，如Digi-ReelR替代包装，单位重量设计为0.002561盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作LinCMOS商品名。此外封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），其工作温度范围为-40°C~85°C，该器件具有安装型表面安装，输出类型为CMOS、MOS、开放漏极、TTL，通道数为2通道，供应商器件封装为8-SOIC，单双电源电压为1.4V~16V，±0.7V~8V，元件数为2，电压输入偏移最大值为5mV@5V，电流输入偏置最大值为5pA@5V，电流输出Typ为20mA，电流静态最大值为400μA，响应时间为200 ns，关机为无关机，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为300 uA，电源电压Max为16V，电源电压Min为1.4V，比较器类型为差分，Ib输入偏置电流为2nA，Vos输入偏置电压为5mV，每个通道的输出电流为6mA。
TLC352ID是IC DIFF COMPARATOR DUAL 8-SOIC，包括5mV Vos输入偏置电压，它们设计用于1.4 V~16 V、±0.7 V~8 V单双电源，最大电压输入偏置显示在数据表注释中，用于5mV@5V，提供单位重量功能，如0.002677 oz，类型设计用于差分，以及LinCMOS商标，该器件也可用作1.4 V电源电压最小值。此外，电源电压最大值为16 V，该器件采用8-SOIC供应商器件封装，该器件具有无关机功能，系列为LinCMOS？，响应时间为200ns，产品为模拟比较器，Pd功耗为500mW，封装为管交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），输出类型为CMOS、MOS、开放漏极、TTL，每个通道的输出电流为6 mA，工作温度范围为-40°C~85°C，工作电源电流为300 uA，元件数量为2，通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-40℃，它的最大工作温度范围为+85 C，Ib输入偏置电流为2 nA，电流静态最大值为400μA，电流输出Typ为20mA，电流输入偏置最大值为5pA@5V，比较器类型为差分。
TLC352IDG4是IC DIFF VOLT COMP DUAL 8-SOIC，包括差分比较器类型，它们设计为在5mA@5V电流输入偏置最大值下工作，电流输出类型如数据表注释所示，用于20mA，提供电流静态最大值功能，如400μa，Ib输入偏置电流设计为在2 nA下工作，其最大工作温度范围为+85 C，它的最低工作温度范围为-40℃。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件有2个通道，通道数为2，元件数为2。工作电源电流为300 uA，工作温度范围在-40°C~85°C，每个通道的输出电流为6 mA，输出类型为CMOS、MOS、开放漏极、TTL、，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），封装为管交替封装，Pd功耗为500mW，产品为模拟比较器，响应时间为200ns，系列为LinCMOS？，关机为无关机，供应商设备封装为8-SOIC，电源电压最大值为16V，电源电压最小值为1.4V，商品名为LinCMOS，类型为差分，单位重量为0.00267oz，电压输入偏移最大值为5mV@5V，电压供应单双电源为1.4V~16V，±0.7V~8V，Vos输入偏移电压为5mV。
