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24LC08BT-E/MNY

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (256 x 8 x 4) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TDFN (2x3)
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.88048 8.88048
10+ 7.51425 75.14255
30+ 6.75757 202.72725
100+ 5.90631 590.63100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥8.88048
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.88
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规格参数

  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 EEPROM
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 安装类别 表面安装
  • 单字、单页写入耗时 5ms
  • 储存接口 IOC
  • 时钟频率 400千赫
  • 电源电压 2.5伏~5.5伏
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 访达时期 900 ns
  • 包装/外壳 8-WFDFN Exposed Pad
  • 存储容量 8Kb (256 x 8 x 4)
  • 供应商设备包装 8-TDFN (2x3)

24LC08BT-E/MNY 产品详情

The Microchip Technology Inc. 24AA08/24LC08BT-E/MNY is a 8Kb I2C™ compatible Serial EEPROM. The device is organized as four blocks of 256 x 8-bit memory with a 2-wire serial interface. Low-voltage design permits operation down to 1.7V, with standby and active currents of only 1 µA and 1 mA, respectively. The 24XX08 also has a page write capability for up to 16 bytes of data. The 24XX08 is available in the standard 8-pin PDIP, surface mount SOIC, TSSOP, 2x3 DFN, 2x3 TDFN and MSOP packages, and is also available in the 5-lead SOT-23 package. All packages are Pb-free and RoHS compliant.

Feature

  • Single Supply with Operation Down to 2.5V
  • Low-Power CMOS Technology:
  • 2-Wire Serial Interface, I2C™ Compatible
  • Schmitt Trigger inputs for Noise Suppression
  • Output Slope Control to eliminate Ground Bounce
  • 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility
  • Page Write Time 3 ms, typical
  • Self-Timed Erase/Write Cycle
  • 16-Byte Page Write Buffer
  • Hardware Write-Protect
  • ESD Protection >4,000V
  • More than 1 Million Erase/Write Cycles
  • Data Retention >200 years
24LC08BT-E/MNY所属分类:存储器,24LC08BT-E/MNY 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。24LC08BT-E/MNY价格参考¥8.880483,你可以下载 24LC08BT-E/MNY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询24LC08BT-E/MNY规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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