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71V65903S85BGGI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 252

数量 单价 合计
252+ 180.82993 45569.14362
  • 库存: 0
  • 单价: ¥180.82994
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥45,569.14
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 访达时期 8.5 ns
  • 技术 SRAM-同步,SDR(ZBT)
  • 包装/外壳 119亿加仑
  • 供应商设备包装 119-PBGA(14x22)
  • 存储容量 9Mb(512K x 18)

71V65903S85BGGI 产品详情

The 71V65903S85BGGI 3.3V CMOS SRAM is organized as 512K x 18. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V65903S85BGGI contain address, data-in and control signal registers. In the burst mode, it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

Feature

  • High performance system speed - 100 MHz
  • (7.5 ns Clock-to-Data Access)
  • ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read
  • cycles
  • Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE
  • Single R/W (READ/WRITE) control pin
  • 4-word burst capability (Interleaved or linear)
  • Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)
  • Three chip enables for simple depth expansion
  • 3.3V power supply (±5%)
  • 3.3V (±5%) I/O Supply (VDDQ)
  • Power down controlled by ZZ input
  • Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages


71V65903S85BGGI所属分类:存储器,71V65903S85BGGI 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V65903S85BGGI价格参考¥180.829935,你可以下载 71V65903S85BGGI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V65903S85BGGI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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