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23K256T-E/SN

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3300

数量 单价 合计
1+ 10.48842 10.48842
200+ 4.05664 811.32940
500+ 3.92002 1960.01200
1000+ 3.84645 3846.45800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.48843
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12,693.31
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规格参数

  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 储存接口 串行外设接口
  • 访达时期 -
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 存储格式 SRAM
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 时钟频率 20兆赫
  • 技术 SRAM

23K256T-E/SN 产品详情

The Microchip Technology Inc. 23X256 are 256 KbitSerial SRAM devices. The memory is accessed via asimple Serial Peripheral Interface (SPI) compatibleserial bus. The bus signals required are a clock input(SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO)lines. Access to the device is controlled through a ChipSelect (CS) input.Communication to the device can be paused via thehold pin (HOLD). While the device is paused,transitions on its inputs will be ignored, with theexception of Chip Select, allowing the host to servicehigher priority interrupts.The 23X256 is available in standard packagesincluding 8-lead PDIP and SOIC, and advancedpackaging including 8-lead TSSOP.

Feature

  • Max. Clock 20 MHz
  • Low-Power CMOS Technology:     -  Read Current: 3 mA at 1 MHz     -  Standby Current: 4 µA Max. at 3.6V
  • 32,768 x 8-bit Organization
  • 32-Byte Page
  • HOLD pin
  • Flexible Operating modes:     -  Byte read and write     -  Page mode (32 Byte Page)     -  Sequential mode
  • Sequential Read/Write
23K256T-E/SN所属分类:存储器,23K256T-E/SN 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。23K256T-E/SN价格参考¥10.488429,你可以下载 23K256T-E/SN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询23K256T-E/SN规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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