硅电容,简称(Si-Cap),是以硅材料作为介电层,采用半导体制造工艺制作而成的电容器,与主流的MLCC(片式多层陶瓷电容器)相比,它的体积更小,性能更稳定、耐老化、耐温性等更优异,显著的缺点就是相比制造成本更高,所以是一种目前趋近于完美的电容器件,业内有人认为是MLCC的高端替代品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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电容: 10 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥5.25210 | 1288 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥525.20960 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 10 pF 公差: ±20% 包装/外壳: 非标准 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.35590 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥635.58950 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 68 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥10.91986 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,091.98560 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 5.6 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.35590 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥635.58950 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 47 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥8.90937 | 85 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥890.93670 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 100 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥7.91711 | 655 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥791.71120 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 10 pF 公差: ±20% 击穿电压: 50 V 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.179英寸(4.55毫米) | ¥50.79480 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,539.74020 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 2.6 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥8.80834 | 35 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥880.83380 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 10 pF 公差: ±20% 包装/外壳: 非标准 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.59673 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥659.67280 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 100 pF 击穿电压: 50 V 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥10.01027 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,001.02730 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 10 pF 击穿电压: 200伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥10.11498 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,011.49830 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 30 pF 击穿电压: 200伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥11.24585 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,124.58500 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 20 pF 击穿电压: 200伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥18.54414 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,854.41350 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 100 pF 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥19.77971 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,977.97120 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 5.6 pF 公差: ±20% 包装/外壳: 非标准SMD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥95.07665 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥95.07665 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 8.2 pF 公差: ±20% 包装/外壳: 非标准 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥5.96847 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥596.84680 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 1.8 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.35590 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥635.58950 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 15 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.35590 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥635.58950 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 0.8 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.35590 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥635.58950 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 1.2 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.35590 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥635.58950 | 立即购买 加入购物车 |