深圳辰达行电子有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体功率器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。 公司深耕半导体领域15载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。 公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。 展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“成为国际半导体功率器件的一线品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向恢复时间(trr):500ns | ¥0.05070 | 2720 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05070 | 立即购买 加入购物车 | ||
直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V@2A 反向恢复时间(trr):75ns | ¥0.09054 | 195 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09054 | 立即购买 加入购物车 | ||
直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):550mV@3A | ¥0.36432 | 1831 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36432 | 立即购买 加入购物车 | ||
直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):950mV@2A | ¥0.27885 | 300 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.27885 | 立即购买 加入购物车 | ||
直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):700mV@1A | ¥0.13762 | 578 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13761 | 立即购买 加入购物车 | ||
直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):550mV@3A | ¥0.38460 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.38460 | 立即购买 加入购物车 | ||
直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):850mV@5A | ¥0.59609 | 150 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.59609 | 立即购买 加入购物车 | ||
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):850mV@5A | ¥0.55046 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.55046 | 立即购买 加入购物车 |