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品牌介绍

GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者,同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。

英文全称: GeneSiC Semiconductor

中文全称: 基因半导体公司

英文简称: GeneSiC

品牌地址: http://www.genesicsemi.com/

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品牌型号
描述
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操作
GA040TH65
GA040TH65
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 69 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: SOT-227-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13,037.22000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥130,372.20000

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GA040TH65-227SP
GA040TH65-227SP
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 69 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13,037.22000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥130,372.20000

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GA060TH65
GA060TH65
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 104 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: SOT-227-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15,210.09000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥152,100.90000

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GA080TH65
GA080TH65
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 139 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: SOT-227-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19,555.83000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥195,558.30000

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GA060TH65-227SP
GA060TH65-227SP
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 104 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19,555.83000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥195,558.30000

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GA080TH65-227SP
GA080TH65-227SP
构造: 单个的 断态电压: 6.5 kV 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 139 A 可控硅数量 / 二极管数量: 1可控硅 包装/外壳: 模块 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26,074.44000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥260,744.40000

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