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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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数量
操作
SIM-20ST
SIM-20ST
种类: 红外线(IR) 工作波长: 950纳米 正向电流属性DC值: 50毫安 最小辐射强度: 7.5mW/sr @ 50毫安 包装/外壳: 径向的 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度(TA)

¥6.95318

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.95318

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SIM-012SBT87
SIM-012SBT87
种类: 红外线(IR) 工作波长: 950纳米 正向电流属性DC值: 40毫安 最小辐射强度: 0.9mW/sr@20毫安 包装/外壳: 4-SMD,无引线 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度(TA)

¥124.59237

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合计: ¥124.59237

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SIR-34ST3F
SIR-34ST3F
种类: 红外线(IR) 工作波长: 950纳米 正向电流属性DC值: 100毫安 最小辐射强度: 3.5mW/sr @ 50毫安 包装/外壳: T-1型 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度(TA)

¥5.14246

1574

5-7 工作日

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合计: ¥5.14246

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SIM-030ST
SIM-030ST
种类: 红外线(IR) 工作波长: 870nm 正向电流属性DC值: 100毫安 最小辐射强度: 100毫安时10mW/sr 包装/外壳: 2-SMD,无引线 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度(TA)

¥14.26851

434

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合计: ¥14.26851

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SIM-012SBT97
SIM-012SBT97
种类: 红外线(IR) 工作波长: 950纳米 正向电流属性DC值: 40毫安 最小辐射强度: 0.9mW/sr@20毫安 包装/外壳: 4-SMD,无引线 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度(TA)

¥520.77900

0

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合计: ¥520.77900

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SIR-563ST3FN
SIR-563ST3FN
种类: 红外线(IR) 工作波长: 940纳米 正向电流属性DC值: 100毫安 最小辐射强度: 50毫安时9mW/sr 包装/外壳: T 1 3/4 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度(TA)

¥5.79432

0

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合计: ¥5.79432

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SIM-20STLM
SIM-20STLM
INFRARED EMITTER

¥287.34033

0

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合计: ¥287.34033

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SIR-568ST3F
SIR-568ST3F
种类: 红外线(IR) 工作波长: 850nm 正向电流属性DC值: 100毫安 最小辐射强度: 18mW/sr @ 50毫安 包装/外壳: T 1 3/4 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度(TA)

¥391.94229

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合计: ¥391.94229

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SIM-012STT87
SIM-012STT87
种类: 红外线(IR) 工作波长: 950纳米 正向电流属性DC值: 40毫安 最小辐射强度: 0.9mW/sr@20毫安 包装/外壳: 4-SMD,无引线 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度(TA)

¥148.29114

0

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合计: ¥148.29114

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SML-S13RTT86
SML-S13RTT86
种类: 红外线(IR) 工作波长: 850nm 正向电流属性DC值: 30毫安 最小辐射强度: 1.5mW/sr@20毫安 包装/外壳: 1206(3216公制) 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度(TA)

¥2.91112

2868

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SCM-013RTT86
SCM-013RTT86
种类: 红外线(IR) 工作波长: 850nm 正向电流属性DC值: 30毫安 最小辐射强度: 0.5mW/sr@20毫安 包装/外壳: 2-SMD,无引线 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度(TA)

¥4.92517

1455

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合计: ¥4.92517

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SIM-040ST
SIM-040ST
种类: 红外线(IR) 工作波长: 870nm 正向电流属性DC值: 100毫安 最小辐射强度: 20mW/sr @ 100毫安 包装/外壳: 2-SMD,无引线 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度(TA)

¥14.63066

10390

5-7 工作日

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合计: ¥14.63066

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SIR-320ST3FP
SIR-320ST3FP
正向电流-DC (If):75mA 耗散功率:100mW 辐射强度:5.6mW/sr@50mA

¥2.17851

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