自从1969年创业以来,在半导体领域独辟蹊径的匠人企业KEC,通过几十年不断的技术开发与经营革新,不但在品质上赢得了国内外知名电子企业的普遍信赖,其优秀的技术能力也受到广泛的认可。得益于当前迅猛推进的电子设备的数字整合(digital convergence), 通讯与IT技术的融合, 以及汽车电子化等, 各种半导体的需求与市场将会大大扩大。2004年, 作为未来发展的引擎KEC决定进军MOS领域, 秉承‘2010年SSTR市场占有率世界第一, 销售额1兆元’的目标, KEC夜以继日地开拓着世界市场. 从世界超小表面贴装型半导体封装(semiconductor package)与世界最初研制出的超节电型元件、以及世界最高效的高频(RF)元件和硅传感器(SILICON SENSOR)为止,KEC通过不断地挑战创造新技术, 塑造崭新的KEC未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V | ¥0.07822 | 2239 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07822 | 立即购买 加入购物车 | ||
集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V | ¥0.08257 | 2120 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.08257 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V | ¥0.05360 | 2892 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05360 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.05143 | 541 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05143 | 立即购买 加入购物车 |