Microsemi Corporation总部设于加利福尼亚州尔湾市,是一家领先的高性能模拟和混合信号集成电路及高可靠性半导体设计商、制造商和营销商。 Microsemi公司的半导体产品可用于管理和控制或调节电源,保护瞬时电压峰值,并传输、接收和放大信号 Microsemi的产品包括独立元器件和集成电路解决方案等,可通过改善性能和可靠性、优化电池、减小尺寸和保护电路而增强客户的设计能力。Microsemi公司所服务的主要市场包括植入式医疗机构、防御/航空和卫星、笔记本电脑、监视器和液晶电视、汽车和移动通信等应用领域。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥109.40335 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥109.40335 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: 4-md | ¥966.43832 | 121 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥966.43832 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 80 Ohms 供应商设备包装: UB | ¥1,000.19467 | 88 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,000.19467 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥557.40010 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥557.40010 | 立即购买 加入购物车 |