佩菲特™ 40V MOSFET系列提高了开关电源性能

台湾半导体的PerFET系列单沟道和双沟道40 V功率MOSFET基于专有的器件结构和工艺，可实现极低的导通电阻（R_DS（ON）)以及开关品质因数（FOM）。PerFET设备实现了50%的R_DS（ON）40%的FOM降低使该投资组合处于行业领先水平。40 V N沟道PerFET平台包括标准（10 V）和逻辑电平（5 V）栅极驱动要求的选项，同时在开关应用中发生开关电压瞬变和雪崩时保持坚固的安全操作区域裕度。

特征

• R降低50%_DS（ON）：更低的功率损耗
• 40%的FOM改进：改善了切换性能
• 可润湿侧面引线：提高焊点可靠性和自动光学检测（AOI）
• 单通道和双通道封装
• 100%用户界面和R_g测试
• AEC-Q汽车认证：+175°C T_{j（最大值）}适用于汽车和工业应用；生产零件批准流程（PPAP）文件可用
• 全球材料合规性：符合RoHS，无卤素（根据IEC-61249-2-21），WEEE，REACH，加利福尼亚州。65、JESD-201 2类晶须试验等