600 V/650 V IGBT–BID系列

伯恩斯的BID系列IGBT分立解决方案结合了MOSFET栅极和双极晶体管的技术。该系列创建了一个专为高压和大电流应用而设计的组件。这些器件使用先进的沟槽栅极场阻技术来提供更大的动态特性控制，从而降低集电极-发射极饱和电压（V）_{行政长官（sat）})并且开关损耗更少。此外，由于具有热效率的to-252、to-247和to-247N封装，这些器件可以提供较低的热阻（R_th（j-c）)，使其适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）应用的IGBT解决方案。