久芯网

AFBR-S4N66C013

  • 描述:工作波长: 420纳米 光谱范围: 300nm ~ 900nm 包装/外壳: 32-UBGA 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度
  • 品牌: 安华高 (AVAGO)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 933.42814 933.42814
200+ 361.23074 72246.14860
500+ 348.53533 174267.66500
1000+ 342.26119 342261.19000
  • 库存: 6
  • 单价: ¥933.42814
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥933.43
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 二极管种类 -
  • 响应度与光波长 -
  • 响应时长 -
  • 可视角度 -
  • 安装类别 表面安装
  • 颜色增强 紫外线(UV)
  • 部件状态 可供货
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
  • 制造厂商 安华高 (AVAGO)
  • 工作波长 420纳米
  • 光谱范围 300nm ~ 900nm
  • 最大直流反向电压 (Vr) 26.9 V
  • 典型暗时电流值 1.3A.
  • 有作用区域 36毫米
  • 包装/外壳 32-UBGA

AFBR-S4N66C013 产品详情

The Broadcom® AFBR-S4N44C013 is a silicon photo multiplier (SiPM) array used for ultra-sensitive precision measurement of single photons.The active area is 3.72 × 3.72 mm2. High packing density of the single chip is achieved using through-silicon-via (TSV) technology. Larger areas can be covered by tiling multiple AFBR-S4N44C013 arrays almost without any edge losses. The passivation layer is made by a glass highly transparent down to UV wavelengths, resulting in a broad response in the visible light spectrum with high sensitivity towards blue- and near-UV region of the light spectrum.

Feature

  • High PDE of more than 55% at 420 nm
  • High fill factors
  • Excellent SPTR and CRT
  • Excellent uniformity of breakdown voltage, 180 mV (3 sigma)
  • Excellent uniformity of gain
  • With TSV technology (4-side tilable)
  • Size 3.88 × 3.88 mm2
  • Cell pitch 30 × 30 µm2
  • Highly transparent glass protection layer

Applications

Medical, Safety
AFBR-S4N66C013所属分类:光电二极管,AFBR-S4N66C013 由 安华高 (AVAGO) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AFBR-S4N66C013价格参考¥933.428144,你可以下载 AFBR-S4N66C013中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AFBR-S4N66C013规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安华高 (AVAGO)

安华高 (AVAGO)

安华高科技为全球 40,000 多家客户提供丰富的模拟、混合信号和光电器件及子系统产品,其中包括多家全球顶级的原始设备制造商 (OEM)。

会员中心 微信客服
客服
回到顶部