IC-Sift为您提供由Sullins连接器解决方案公司设计生产的GMC40DRYH-S13，在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GMC40DRYH-S13参考价格为17.40100美元。Sullins连接器解决方案GMC40DRYH-S13封装/规格：CONN EDGE DUAL FMALE 80POS 0.100。您可以下载GMC40DRYH-S13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSC340N08NS3GATMA1是MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们被设计为使用Digi-ReelR替代包装包装操作，数据表注释中显示了零件别名，用于BSC340N08NS3 BSC340N08MS3GXT G SP000447534，该产品提供SMD/SMT等安装风格功能，商品名被设计为在OptiMOS以及8-PowerTDFN封装盒中工作，该设备也可以用作Si技术，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），设备采用表面安装安装型，设备有1个通道，供应商设备包为PG-TDSON-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为32W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds在40V时为756pF，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7A（Ta）、23A（Tc），Rds On Max Id Vgs在12A、10V时为34mOhm，Vgs th Max Id在12μA时为3.5V，栅极电荷Qg-Vgs在10V时是9.1nC，Pd功耗为32W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为23 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，第Vgs栅极源极阈值电压为2.8 V，漏极-漏极电阻为34 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型导通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为6.8nC，正向跨导Min为16S，沟道模式为增强。
BSC360N15NS3 G是MOSFET N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们被设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于150 V，提供典型的导通延迟时间功能，如9 ns，典型的关断延迟时间被设计为工作在12 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用硅技术，该器件具有系列的OptiMOS 3，上升时间为6ns，漏极-源极电阻为36mOhms，Qg栅极电荷为12nC，Pd功耗为74W，部件别名为BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N115NS3GXT SP000778134，包装为卷轴，包装盒为TDSON-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为33 A，下降时间为4 ns，配置为单一，通道模式为增强。
BSC360N15NS3G，电路图由INFINEON制造。BSC360N15NS3G有TDSON-8封装，是IC芯片的一部分。
BSC3N06L45，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。BSC3N06L45有QFN封装，是IC芯片的一部分。
