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RAQ045P01TCR是MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6，包括RAQ045P0系列，它们设计用于卷轴封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-457-6等封装盒功能，技术设计用于硅，以及1通道数的通道，该设备也可用作1个P通道ESD配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件具有1.25 W Pd功耗，其最高工作温度范围为+150 C，最低工作温度范围是-55 C，下降时间为150 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极-源极电压为0 V至-8 V，Id连续漏极电流为-4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Vgs th栅极-源极阈值电压为-300 mV，Rds导通-漏极电阻为100 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为400 ns，典型导通延迟时间为16 ns，Qg栅极电荷为40 nC，正向跨导最小值为12 S，沟道模式为增强。
RAQ045P01，用户指南由ROHM制造。RAQ045P01有SOT-163封装，是FET的一部分-单体。
RAQ045P01 TR，电路图由ROHM制造。RAQ045P01 TR有TSMT6封装，是FET的一部分-单体。
带有SUNHOLD制造的EDA/CAD模型的RAS-1215。RAS-1215有SMD封装，是IC芯片的一部分。
