9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4764A-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4764A-TR参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4764A-TR封装/规格：DIODE ZENER 100V 1.3W DO41。您可以下载1N4764A-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4764A-TAP是DIODE ZENER 100V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于带盒（TB）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长的安装方式，该设备也可以用作2.6毫米宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为100V，阻抗最大值Zzt为350欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@76V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为100 V，电压容差为5%，齐纳电流为9 mA，Zz齐纳阻抗为350欧姆，Ir反向电流为5 uA。
1N4764A-T是DIODE ZENER 1.3W DO41，包括100V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-41，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及1.3W最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为3000欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@76V。
1N4764ATA是DIODE ZENER 100V 1W DO41，包括5μA@76V电流反向泄漏Vr，设计用于350 Ohm阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为100V。
