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BZX85C4V7-TR是DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41，包括Automotive AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为2.6 mm，长度4.1 mm，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大值Zzt为13欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@1V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为4.7V，电压容差为6%，电压温度系数为0.005%/C，齐纳电流为215 mA，Zz齐纳阻抗为13欧姆，Ir反向电流为3 uA。
BZX85C4V7-TAP是DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41，包括13欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于215 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供4.7V等Vz齐纳电压特性，电压齐纳标称Vz设计用于4.7V，以及6%电压容差，该器件也可以用作0.005%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大值Zzt为13 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@1V，配置为单一。
BZX85C4V7-T是齐纳二极管1.3W，包括单配置，设计用于2.72 mm高，Ir反向电流显示在数据表注释中，用于3 uA，提供5.51 mm等长度特性，安装方式设计用于通孔，以及DO-41封装盒，该设备也可用于卷筒封装。此外，Pd功耗为1.3W，器件的单位重量为0.010935盎司，器件的电压容差为6.3%，Vz齐纳电压为4.7V，宽度为2.72mm，Zz齐纳阻抗为3欧姆。
