9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的BZT52C6V8T-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT52C6V8T-7参考价格为0.23000美元。Diodes Incorporated BZT52C6V8T-7封装/规格：DIODE ZENER 6.8V 300MW SOD523。您可以下载BZT52C6V8T-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZT52C6V8S-7-F是DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323，包括BZT52C6V8系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000173盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，高度设计为1毫米，长度为1.8毫米，设备也可以用作1.4毫米宽度。此外，封装外壳为SC-76、SOD-323，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为SOD-323。配置为单一，公差为±6%，功率最大值为200mW，电压齐纳标称Vz为6.8V，阻抗最大值Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@4V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为6.8 V，电压容差为6%，电压温度系数为2.85 mV/C，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为1uA。
BZT52C6V8S-TP是DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.35毫米宽的工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于6.8 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如6.8V，电压容差设计为工作在5%，以及2.85 mV/C电压温度系数，该设备也可以用作900mV@10mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.001164盎司，该设备的公差为±6%，该设备具有供应商设备封装的SOD-323，系列为BZT52C6，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW；封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SC-76、SOD-323，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175°C，长度为1.8 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为15 Ohm，高度为1 mm，电流反向泄漏Vr为2μA@4V，配置为单一。
BZT52C6V8T1G，电路图由ON/LRC制造。BZT52C6V8T1G在S0D-123封装中提供，是IC芯片的一部分。
