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MMBZ5238B-HE3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小型信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，功率最大值为225mW，电压齐纳标称Vz为8.7V，阻抗最大值Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@6.5V，Pd功耗为225 mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为8.7 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.065%/C，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为3 uA。
MMBZ5238B-HE3-18带有用户指南，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于8.7 V Vz齐纳电压，电压齐纳标称Vz如数据表注释所示，用于8.7V，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.065%/C，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±5%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为225mW，Pd功耗为225mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大值Zzt为8欧姆，反向电流Vr为3μA@6.5V，配置为单一。
MMBZ5238BLT1是DIODE ZENER 8.7V 225MW SOT23-3，包括3μA@6.5V电流反向泄漏Vr，它们设计为在8欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计为在to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及切割胶带（CT）包装中工作，该设备也可作为225mW最大功率使用。此外，供应商设备包为SOT-23-3（TO-236），该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为8.7V。
