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SZMMBZ5237BLT1G是DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT23-3,包括MMBZ5237B系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,包装箱如数据表注释所示,用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-65°C~150°C,安装类型设计用于表面安装,以及SOT-23-2(to-236)供应商设备包,该设备也可以用作单一配置。此外,容差为±5%,该器件的最大功率为225mW,该器件具有8.2V的电压齐纳标称Vz,阻抗最大Zzt为8欧姆,电流反向泄漏Vr为3μa@6.5V,电压正向Vf Max If为900mV@10mA。
SZMMBZ5236BLT1G是DIODE ZENER 7.5V 225MW SOT23-3,包括7.5V电压齐纳标称Vz,它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作,公差显示在数据表注释中,以±5%使用,提供供应商设备包功能,如SOT-23-3(to-236),该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-65°C~150°C,装置具有安装型表面安装,阻抗最大Zzt为6欧姆,电流反向泄漏Vr为3μa@6V,配置为单一。
SZMMBZ5238BLT1G是DIODE ZENER 8.7V 225MW SOT23-3,包括3μA@6.5V电流反向泄漏Vr,它们设计为在8欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,其工作温度范围为-65°C~150°C,包装箱设计为在to-236-3、SC-59、SOT-23-3中工作,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作225mW最大功率。此外,该系列为MMBZ5238B,该器件采用SOT-23-3(TO-236)供应商器件封装,该器件具有±5%的容差,电压正向Vf Max If为900mV@10mA,电压齐纳标称Vz为8.7V。