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IPA086N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPA086N1 0N3GXK IPA086N 0N3GXKSA1 SP000485984，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为37.5 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为45A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为14nC，沟道模式为增强。
IPA086N10N 086N10是FEELING制造的MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP。IPA086N10N 086N10提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP。
IPA086N10N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP。IPA086N10N3G采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP。
