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IPP037N08N3GXKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.75毫欧姆 @ 100A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@155A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 117 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8110 pF @ 40 V
  • 最大功耗 214W(Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO220-3

IPP037N08N3GXKSA1 产品详情

英飞凌OptiMOS™3个功率MOSFET,60至80V

光学MOS™ 产品以高性能封装提供,以应对最具挑战性的应用,在有限的空间内提供充分的灵活性。这些Infineon产品旨在满足并超过计算应用中的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

用于SMPS的快速开关MOSFET
DC/DC转换器的优化技术
根据JEDEC1)对目标应用进行认证
N通道,逻辑电平
优秀的栅极电荷x R DS(on)乘积(FOM)
导通电阻非常低R DS(开)
无铅电镀

IPP037N08N3GXKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPP037N08N3GXKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPP037N08N3GXKSA1价格参考¥23.756712,你可以下载 IPP037N08N3GXKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPP037N08N3GXKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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