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FCPF190N60E是MOSFET 600V N-CHAN MOSFET，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为39 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为38 ns，Id连续漏电流为20.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5 V，Rds导通漏极-源极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为212ns，典型接通延迟时间为56ns，Qg栅极电荷为82nC，正向跨导Min为20S。
FCPF190N60是Fairchild制造的MOSFET N-CH 600V TO-220-3。FCPF190N60采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 600V TO-220-30、N沟道600V 20.2A（Tc）39W（Tc）通孔TO-220F-3、Trans MOSFET N-CH600V 20.2A 3引脚（3+Tab）TO-220FP管、MOSFET SuperFET2、190mohm。
FCPF190N60_F152，电路图由Fairchild制造。是晶体管-FET，MOSFET-单个的一部分，支持“MOSFET 600V，MOSFET 600V、20.2A、199mOhm SuperFET II MOSFET”。
