特色
- 650 V@TJ=150°C
- 类型。RDS（开启）=132 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg=57 nC）
- 低有效输出电容（典型cos（eff）=204 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 工业电源
- 电信/服务器电源
FCP165N65S3R0
- 描述:FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 193
- 库存: 2115
- 单价: ¥11.22353
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,166.14
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规格参数
- 场效应管特性 -
- 场效应管类型 -
- 技术 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 部件状态 过时的
- 制造厂商
FCP165N65S3R0 产品详情
SuperFET®II MOSFET是一种全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，与SuperFET IIMOSFET系列相比，SuperFET II MOSFET易驱动系列的上升和下降时间略慢。注意到“E”零件号后缀，该系列有助于管理EMI问题，并允许更容易的设计实施。为了在开关损耗必须绝对最小的应用中实现更快的开关，请考虑SuperFET II MOSFET系列。
FCP165N65S3R0 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FCPAPER1 | 海尔曼泰顿 (HellermannTyton) | POLISHING FILM | ¥488.91101 |
 | FCPAPER5 | 海尔曼泰顿 (HellermannTyton) | POLISHING FILM | ¥226.79853 |
 | FCPAPERSM | 海尔曼泰顿 (HellermannTyton) | POLISHING FILM DIAMOND | ¥507.04182 |
 | FCPUCKLC | 海尔曼泰顿 (HellermannTyton) | POLISHING PUCK LC CONNECTORS | ¥4,824.06112 |
 | FCPUCKSCST | 海尔曼泰顿 (HellermannTyton) | POLISHING PUCK SC/ST CONNECTORS | ¥418.20505 |
 | FCPL01250500 | 达纳帕 (Dynapar) | CPLG,FLEX,1/2;1/4,1/2,1.250D | ¥1,954.13442 |
 | FCPL02001000 | 达纳帕 (Dynapar) | CPLG,FLEX;1;3/8,5/8,2.000D | ¥2,525.23709 |
 | FCPL00750125 | 达纳帕 (Dynapar) | CPLG,FLEX,1/8;1/8,3/16,.750D | ¥2,793.58653 |
 | FCPL02000875 | 达纳帕 (Dynapar) | CPLG,FLEX;7/8;3/8,5/8,2.000D | ¥2,972.48616 |
 | FCPL02001125 | 达纳帕 (Dynapar) | CPLG,FLEX,1-1/8;3/8,5/8,2.000D | ¥3,344.04693 |
FCP165N65S3R0所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCP165N65S3R0 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCP165N65S3R0价格参考￥11.223525，你可以下载 FCP165N65S3R0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCP165N65S3R0规格参数、现货库存、封装信息等信息！