9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSC026N02KSG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSC026N02KSG参考价格为0.76000美元。Infineon Technologies BSC026N02KSG包/规格：BSC026N02-12V-300V N-CHANNEL P。您可以下载BSC026N02KSG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSC026N02KS G是MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于BSC026N02KSGAUMA1 BSC026N02KSGXT SP000379664的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS以及8 PowerTDFN封装盒，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有1个通道数，供应商器件封装为PG-TDSON-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为78W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为7800pF@10V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为25A（Ta），100A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.6mOhm@50A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@200μA，栅极电荷Qg-Vgs为52.7nC@4.5V，Pd功耗为2.8W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为9 ns，上升时间为115 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为25 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为2.6 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为21ns，信道模式为增强。
BSC025N03MSGATMA1是MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，零件别名设计用于BSC025N03MS BSC025NO3MSGXT G SP000311505，以及卷筒包装，该设备也可以用作TDSON-8封装盒。此外，信道数为1信道。
BSC025N03MSG，带有INFINEON制造的电路图。BSC025N03MSG在DFN-85X6封装中提供，是FET的一部分-单个。
