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FCPF400N80Z

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 35.7W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11A(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-220F-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 56 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 800 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 400毫欧姆 @ 5.5A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 1.1毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2350 pF@100 V
  • 最大功耗 35.7W (Tc)

FCPF400N80Z 产品详情

SuperFET®和SuperFET™II N沟道MOSFET,Fairchild半导体

Fairchild使用超级结技术添加了SuperFET®II高压功率MOSFET系列。它在AC-DC开关模式电源(SMPS)应用(如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器、照明应用)中提供了一流的稳健体二极管性能,这些应用需要高功率密度、系统效率和可靠性。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可以获得更高效、更经济、更高性能的解决方案,从而占用更少的电路板空间并提高可靠性。

特色

  • 类型。RDS(开启)=340 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Qg=43 nC)
  • 低有效输出电容(典型Cossef.=138 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS
FCPF400N80Z所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCPF400N80Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCPF400N80Z价格参考¥23.322138,你可以下载 FCPF400N80Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCPF400N80Z规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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