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FDS6682

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 场效应管类型 -
  • 技术 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)

FDS6682 产品详情

该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。它已针对“低侧”同步整流器操作进行了优化,在一个小封装中提供了极低的RDS(ON)。

特色

  • 14安培,30伏特
  • RDS(ON)=7.5 mΩ@VGS=10 V
  • RDS(开启)=9.0 mΩ@VGS=4.5 V
  • 低栅极电荷(典型值为22 nC)
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC/DC转换器
FDS6682所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDS6682 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS6682价格参考¥2.607444,你可以下载 FDS6682中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS6682规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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