9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDPF2D3N10C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDPF2D3N10C参考价格为4.32408美元。onsemi FDPF2D3N10C封装/规格：MOSFET N-CH 100V 222A TO220F。您可以下载FDPF2D3N10C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDPF33N25T是MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F，包括UniFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.080072盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220F，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为37W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为250V，输入电容Cis-Vds为2135pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为33A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为94 mOhm@16.5A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为48nC@10V，Pd功耗为37 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为120 ns，上升时间为230ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为77mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为35ns，正向跨导最小值为26.6S，信道模式是增强。
FDPF20N50T是MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如95纳秒，典型的关闭延迟时间设计为100纳秒，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为375 ns，器件的漏极-源极电阻为230 mOhms，Pd功耗为38.5 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为20 A，正向跨导最小值为24.6 S，下降时间为105 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDPF2710T是MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于154 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如25 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为62.5W，Rds导通漏极-源极电阻为42.5 mOhms，上升时间为252 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为112 ns，典型接通延迟时间为80ns，单位重量为0.080072oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为30V。
FDPF320N06L是MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F，包括管封装，它们设计为与TO-220-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及60V Vds漏极-源极击穿电压，该器件也可以用作26W Pd功率耗散。此外，Id连续漏极电流为21A，该器件的漏极源电阻为20 mOhms Rds，器件的单位重量为0.080072盎司，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃。
