9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPA057N08N3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPA057N08N3G参考价格为0.96000美元。Infineon Technologies IPA057N08N3G软件包/规格：IPA057N08-12V-300V N-CHANNEL P。您可以下载IPA057N08N3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPA057N06N3 G是MOSFET N-Ch 60V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPA057N06 N3GXK IPA057N0 6N3GXKSA1 SP000457582，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为38 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为68 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为61nC，正向跨导最小值为82S，并且信道模式是增强。
IPA057N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为36 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为42 ns，漏极-源极电阻Rds为5.7 mOhms，Qg栅极电荷为18 nC，Pd功耗为39 W，部件别名为IPA057N08N3GXK IPA057N08N3XKSA1 SP000454442，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为60 A，下降时间为9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPA057N06N3G是由INF制造的MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31。IPA057N06G采用TO-220-3全封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH60V 60A-TO220-3-1。
