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IPD50N03S2-07

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 563

  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.83874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,161.21
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 68 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.3毫欧姆 @ 50A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 85A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@25 V
  • 最大功耗 136W(Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3-1

IPD50N03S2-07 产品详情

特色

  • N通道-增强模式
  • 汽车AEC Q101合格
  • MSL1最高260°C峰值回流
  • 175°C工作温度
  • 绿色包装(符合RoHS)
  • 100%雪崩测试
  • 低开关和传导功率损耗,实现最高热效率
  • 具有卓越质量和可靠性的坚固封装
  • 优化的总栅极电荷使驱动器输出级更小

应用

  • OptiMOS-T 40V适用于小负载控制开关(三相和H桥电机、电动泵等,尤其是与PWM控制相结合)。
  • 车身应用

 

仿真/SPECE模型

IPD50N03S2-07所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD50N03S2-07 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD50N03S2-07价格参考¥3.838737,你可以下载 IPD50N03S2-07中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD50N03S2-07规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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