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BSC0805LSATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 79A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥19.77312
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    - +
  • 总计: ¥19.77
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@49A.
  • 最大功耗 83W (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TDSON-8-6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 79A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7毫欧姆 @ 40A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2700 pF@50 V

BSC0805LSATMA1 产品详情

BSC0805LSATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC0805LSATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC0805LSATMA1价格参考¥19.773117,你可以下载 BSC0805LSATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC0805LSATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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