9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPB80N06S2-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPB80N06S2-08参考价格0.80000美元。Infineon Technologies SPB80N06S2-08封装/规格：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3。您可以下载SPB80N06S2-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPB80N06S-08是MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK，包括SIPMOS系列，它们设计为与卷筒包装一起工作。数据表注释中显示了用于SP000084808 SPB80N6S08ATMA1 SPB80M06S08XT的零件别名，该产品提供4 g等单位重量功能，安装样式设计为在SMD/SMT以及SIPMOS商标中工作，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该设备为单配置，该设备具有TO-252-3封装外壳，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为53 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为54ns，典型接通延迟时间为22ns，正向跨导最小值为73S，沟道模式为增强。
SPB80N06S2-05是INFINEON制造的MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK。SPB80N06S2-05采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK，N沟道55V 80B（Tc）300W（Tc，表面安装PG-TO263-3-2。
SPB80N06S2-07是由INF制造的MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK。SPB80N6S2-07有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 80B D2PAK，N沟道55V 80C（Tc）250W（Tc）表面安装PG-TO263-3-2。
